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BJT

Transistor 2N1713 PNP — BJT

BJT PNP — Encapsulado TO7 — Vce=12V, Ic=0.01A, hFE=40, 0.08W

BJT PNP TO7 0.080 W

Parametros principales

Vce Max 12 V

Vcb Max 15 V

Ic Max 0.01 A

hFE Min 40

Potencia 0.08 W

Tj Max 75 °C

Especificaciones completas ▼

Package	TO7
Polarity	PNP
Material of Transistor	Ge
Transition Frequency (ft)	100 MHz
Collector Capacitance (Cc)	6 pF
Maximum Collector Current \|Ic max\|	0.01 A
Maximum Collector-Base Voltage \|Vcb\|	15 V
Maximum Collector-Emitter Voltage \|Vce\|	12 V
Max. Operating Junction Temperature (Tj)	75 °C
Maximum Collector Power Dissipation (Pc)	0.08 W
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN	40

¿Que es el 2N1713?

El 2N1713 es un transistor BJT de tipo PNP en encapsulado TO7. Tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 12V y corriente maxima de colector (Ic) de 0.01A. La ganancia minima (hFE) es 40.

Los transistores BJT como el 2N1713 se usan en amplificacion de senales, conmutacion, regulacion de voltaje y circuitos de control. Su versatilidad los hace componentes fundamentales en electronica analogica y digital.

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Preguntas frecuentes sobre el 2N1713

¿Que tipo de transistor es el 2N1713?

El 2N1713 es un transistor BJT PNP en encapsulado TO7. Sus parametros principales son: Vce=12V, Ic=0.01A, hFE=40, 0.08W.

¿Cual es el voltaje maximo del 2N1713?

El 2N1713 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 12V y colector-base (Vcb) de 15V. Trabajar por encima de estos valores puede destruir el componente.

¿Que encapsulado tiene el 2N1713?

El 2N1713 viene en encapsulado TO7. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.

¿Para que sirve el 2N1713?

El 2N1713 se usa tipicamente en amplificacion de senales, conmutacion, regulacion de voltaje y etapas de entrada/salida. Es un componente versatil presente en una gran variedad de circuitos analogicos y digitales.

¿Es gratis consultar los datos del 2N1713?

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