Transistor B1129NT1V-1 NPN — BJT
BJT NPN — Vce=10V, Ic=0.01A, hFE=80, 0.075W
Parametros principales
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Collector Capacitance (Cc) | 3 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 0.01 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 4 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 12 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 10 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 125 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 0.075 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 80 |
Transistores equivalentes y compatibles
Los siguientes transistores pueden usarse como reemplazo del B1129NT1V-1:
¿Que es el B1129NT1V-1?
El B1129NT1V-1 es un transistor BJT de tipo NPN. Tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 10V y corriente maxima de colector (Ic) de 0.01A. La ganancia minima (hFE) es 80.
Los transistores BJT como el B1129NT1V-1 se usan en amplificacion de senales, conmutacion, regulacion de voltaje y circuitos de control. Su versatilidad los hace componentes fundamentales en electronica analogica y digital.
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Preguntas frecuentes sobre el B1129NT1V-1
¿Con que transistor puedo reemplazar el B1129NT1V-1?
Los reemplazos compatibles para el B1129NT1V-1 incluyen: 1129NTV1, 159NT1E. Verifica que los parametros clave (voltaje, corriente, encapsulado) sean compatibles con tu circuito antes de sustituir.
¿Que tipo de transistor es el B1129NT1V-1?
El B1129NT1V-1 es un transistor BJT NPN. Sus parametros principales son: Vce=10V, Ic=0.01A, hFE=80, 0.075W.
¿Cual es el voltaje maximo del B1129NT1V-1?
El B1129NT1V-1 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 10V y colector-base (Vcb) de 12V. Trabajar por encima de estos valores puede destruir el componente.
¿Para que sirve el B1129NT1V-1?
El B1129NT1V-1 se usa tipicamente en amplificacion de senales, conmutacion, regulacion de voltaje y etapas de entrada/salida. Es un componente versatil presente en una gran variedad de circuitos analogicos y digitales.
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