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MOS
FET

MOSFET BSL211DV P-Channel

MOSFET P-Channel — Encapsulado SOT163 — Vds=20V, Id=4.7A, RDSon=0.067Ω, 2W

MOSFET P-Channel SOT163 2.000 W

Parametros principales

Vds Max 20 V

Id Max 4.7 A

RDSon 0.067 Ω

Vgs Max 12 V

Potencia 2 W

Tj Max 150 °C

Especificaciones completas ▼

Package	SOT163
tr - Rise Time	13.9 nS
Type of Control Channel	P-Channel
Coss - Output Capacitance	241 pF
\|Id\| - Maximum Drain Current	4.7 A
Pd - Maximum Power Dissipation	2 W
Tj - Maximum Junction Temperature	150 °C
\|Vgs\| - Maximum Gate-Source Voltage	12 V
\|Vds\| - Maximum Drain-Source Voltage	20 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance	0.067 Ohm

Transistores equivalentes y compatibles

Los siguientes transistores pueden usarse como reemplazo del BSL211DV:

2SJ607-ZJ MOSFET P-Channel A9451 MOSFET P-Channel AO3401A MOSFET P-Channel AO3415AS MOSFET P-Channel AO3415W MOSFET P-Channel AO4335 MOSFET P-Channel AO4705 MOSFET P-Channel AOD413 MOSFET P-Channel CMD30P02 MOSFET P-Channel CMD30P03 MOSFET P-Channel CMD30P15 MOSFET P-Channel CMD3P50 MOSFET P-Channel DMP1260 MOSFET P-Channel FQD12P10 MOSFET P-Channel FR9024N MOSFET P-Channel KI001P MOSFET P-Channel KI001PW MOSFET P-Channel KI005P MOSFET P-Channel KI005PDFN MOSFET P-Channel KI007P MOSFET P-Channel

¿Que es el BSL211DV?

El BSL211DV es un transistor MOSFET de canal P-Channel en encapsulado SOT163. Soporta hasta 20V entre drain y source con una corriente maxima de 4.7A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.067 Ohm.

Los MOSFET como el BSL211DV se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.

Si necesitas comparar parametros con los equivalentes, usa nuestro comparador lado a lado. Tambien podes explorar todos los transistores MOSFET disponibles.

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Preguntas frecuentes sobre el BSL211DV

¿Con que transistor puedo reemplazar el BSL211DV?

Los reemplazos compatibles para el BSL211DV incluyen: 2SJ607-ZJ, A9451, AO3401A, AO3415AS, AO3415W, AO4335, AO4705, AOD413, CMD30P02, CMD30P03, y 10 mas. Verifica que los parametros clave (voltaje, corriente, encapsulado) sean compatibles con tu circuito antes de sustituir.

¿Que tipo de transistor es el BSL211DV?

El BSL211DV es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado SOT163. Sus parametros principales son: Vds=20V, Id=4.7A, RDSon=0.067Ω, 2W.

¿Cual es el voltaje maximo del BSL211DV?

El BSL211DV soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 20V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 12V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.

¿Que encapsulado tiene el BSL211DV?

El BSL211DV viene en encapsulado SOT163. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.

¿Para que sirve el BSL211DV?

El BSL211DV se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.

¿Es gratis consultar los datos del BSL211DV?

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