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MOS
FET

MOSFET BSZ215CH NP-Channel

MOSFET NP-Channel — Encapsulado TSDSON-8 — Vds=20V, Id=5.1A, RDSon=0.055Ω, 2.5W

MOSFET NP-Channel TSDSON-8 2.500 W

Parametros principales

Vds Max 20 V

Id Max 5.1 A

RDSon 0.055 Ω

Vgs Max 12 V

Potencia 2.5 W

Tj Max 175 °C

Especificaciones completas ▼

Package	TSDSON-8
tr - Rise Time	2 nS
Type of Control Channel	NP-Channel
Coss - Output Capacitance	114 pF
\|Id\| - Maximum Drain Current	5.1 A
Pd - Maximum Power Dissipation	2.5 W
Tj - Maximum Junction Temperature	175 °C
\|Vgs\| - Maximum Gate-Source Voltage	12 V
\|Vds\| - Maximum Drain-Source Voltage	20 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance	0.055 Ohm

¿Que es el BSZ215CH?

El BSZ215CH es un transistor MOSFET de canal NP-Channel en encapsulado TSDSON-8. Soporta hasta 20V entre drain y source con una corriente maxima de 5.1A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.055 Ohm.

Los MOSFET como el BSZ215CH se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.

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Preguntas frecuentes sobre el BSZ215CH

¿Que tipo de transistor es el BSZ215CH?

El BSZ215CH es un transistor MOSFET NP-Channel en encapsulado TSDSON-8. Sus parametros principales son: Vds=20V, Id=5.1A, RDSon=0.055Ω, 2.5W.

¿Cual es el voltaje maximo del BSZ215CH?

El BSZ215CH soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 20V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 12V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.

¿Que encapsulado tiene el BSZ215CH?

El BSZ215CH viene en encapsulado TSDSON-8. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.

¿Para que sirve el BSZ215CH?

El BSZ215CH se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.

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