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MOS
FET

MOSFET BUK1M200-50SGTD N-Channel

MOSFET N-Channel — Encapsulado SOT-163-1 — Vds=50V, Id=2.7A, RDSon=0.2Ω, 9.4W

MOSFET N-Channel SOT-163-1 9.400 W

Parametros principales

Vds Max 50 V

Id Max 2.7 A

RDSon 0.2 Ω

Potencia 9.4 W

Tj Max 150 °C

Especificaciones completas ▼

Package	SOT-163-1
Type of Control Channel	N-Channel
\|Id\| - Maximum Drain Current	2.7 A
Pd - Maximum Power Dissipation	9.4 W
Tj - Maximum Junction Temperature	150 °C
\|Vds\| - Maximum Drain-Source Voltage	50 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance	0.2 Ohm

¿Que es el BUK1M200-50SGTD?

El BUK1M200-50SGTD es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado SOT-163-1. Soporta hasta 50V entre drain y source con una corriente maxima de 2.7A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.2 Ohm.

Los MOSFET como el BUK1M200-50SGTD se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.

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Preguntas frecuentes sobre el BUK1M200-50SGTD

¿Que tipo de transistor es el BUK1M200-50SGTD?

El BUK1M200-50SGTD es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado SOT-163-1. Sus parametros principales son: Vds=50V, Id=2.7A, RDSon=0.2Ω, 9.4W.

¿Cual es el voltaje maximo del BUK1M200-50SGTD?

El BUK1M200-50SGTD soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 50V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.

¿Que encapsulado tiene el BUK1M200-50SGTD?

El BUK1M200-50SGTD viene en encapsulado SOT-163-1. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.

¿Para que sirve el BUK1M200-50SGTD?

El BUK1M200-50SGTD se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.

¿Es gratis consultar los datos del BUK1M200-50SGTD?

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