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MOS
FET

MOSFET BUK436-100A N-Channel

MOSFET N-Channel — Encapsulado TO-3PN — Vds=100V, Id=33A, RDSon=0.057Ω, 125W

MOSFET N-Channel TO-3PN 125.000 W

Parametros principales

Vds Max 100 V

Id Max 33 A

RDSon 0.057 Ω

Vgs Max 30 V

Potencia 125 W

Tj Max 150 °C

Especificaciones completas ▼

Package	TO-3PN
Type of Control Channel	N-Channel
\|Id\| - Maximum Drain Current	33 A
Pd - Maximum Power Dissipation	125 W
Tj - Maximum Junction Temperature	150 °C
\|Vgs\| - Maximum Gate-Source Voltage	30 V
\|Vds\| - Maximum Drain-Source Voltage	100 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance	0.057 Ohm

¿Que es el BUK436-100A?

El BUK436-100A es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado TO-3PN. Soporta hasta 100V entre drain y source con una corriente maxima de 33A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.057 Ohm.

Los MOSFET como el BUK436-100A se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.

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Preguntas frecuentes sobre el BUK436-100A

¿Que tipo de transistor es el BUK436-100A?

El BUK436-100A es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-3PN. Sus parametros principales son: Vds=100V, Id=33A, RDSon=0.057Ω, 125W.

¿Cual es el voltaje maximo del BUK436-100A?

El BUK436-100A soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 100V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 30V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.

¿Que encapsulado tiene el BUK436-100A?

El BUK436-100A viene en encapsulado TO-3PN. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.

¿Para que sirve el BUK436-100A?

El BUK436-100A se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.

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