MOSFET BUK637-400B N-Channel
MOSFET N-Channel — Encapsulado TO3PN — Vds=400V, Id=12A, RDSon=0.6Ω, 180W
Parametros principales
| Package | TO3PN |
| tr - Rise Time | 60 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 170 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 12 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 180 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 400 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.6 Ohm |
¿Que es el BUK637-400B?
El BUK637-400B es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado TO3PN. Soporta hasta 400V entre drain y source con una corriente maxima de 12A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.6 Ohm.
Los MOSFET como el BUK637-400B se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.
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Preguntas frecuentes sobre el BUK637-400B
¿Que tipo de transistor es el BUK637-400B?
El BUK637-400B es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO3PN. Sus parametros principales son: Vds=400V, Id=12A, RDSon=0.6Ω, 180W.
¿Cual es el voltaje maximo del BUK637-400B?
El BUK637-400B soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 400V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 30V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.
¿Que encapsulado tiene el BUK637-400B?
El BUK637-400B viene en encapsulado TO3PN. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.
¿Para que sirve el BUK637-400B?
El BUK637-400B se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.
¿Es gratis consultar los datos del BUK637-400B?
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