MOSFET BUK6C2R1-55C N-Channel
MOSFET N-Channel — Encapsulado D2PAK — Vds=55V, Id=228A, RDSon=0.023Ω, 300W
Parametros principales
| Package | D2PAK |
| tr - Rise Time | 206 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 1075 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 228 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 300 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 175 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 16 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 55 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.023 Ohm |
¿Que es el BUK6C2R1-55C?
El BUK6C2R1-55C es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado D2PAK. Soporta hasta 55V entre drain y source con una corriente maxima de 228A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.023 Ohm.
Los MOSFET como el BUK6C2R1-55C se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.
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Preguntas frecuentes sobre el BUK6C2R1-55C
¿Que tipo de transistor es el BUK6C2R1-55C?
El BUK6C2R1-55C es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado D2PAK. Sus parametros principales son: Vds=55V, Id=228A, RDSon=0.023Ω, 300W.
¿Cual es el voltaje maximo del BUK6C2R1-55C?
El BUK6C2R1-55C soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 55V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 16V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.
¿Que encapsulado tiene el BUK6C2R1-55C?
El BUK6C2R1-55C viene en encapsulado D2PAK. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.
¿Para que sirve el BUK6C2R1-55C?
El BUK6C2R1-55C se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.
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