MOSFET BUK754R7-60E N-Channel
MOSFET N-Channel — Encapsulado TO-220AB — Vds=60V, Id=100A, RDSon=0.0046Ω, 234W
Parametros principales
| Package | TO-220AB |
| tr - Rise Time | 39 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 637 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 100 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 234 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 175 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 60 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.0046 Ohm |
¿Que es el BUK754R7-60E?
El BUK754R7-60E es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado TO-220AB. Soporta hasta 60V entre drain y source con una corriente maxima de 100A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.0046 Ohm.
Los MOSFET como el BUK754R7-60E se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.
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Preguntas frecuentes sobre el BUK754R7-60E
¿Que tipo de transistor es el BUK754R7-60E?
El BUK754R7-60E es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-220AB. Sus parametros principales son: Vds=60V, Id=100A, RDSon=0.0046Ω, 234W.
¿Cual es el voltaje maximo del BUK754R7-60E?
El BUK754R7-60E soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 60V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 20V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.
¿Que encapsulado tiene el BUK754R7-60E?
El BUK754R7-60E viene en encapsulado TO-220AB. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.
¿Para que sirve el BUK754R7-60E?
El BUK754R7-60E se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.
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