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MOS
FET

MOSFET BUK7Y1R7-40H N-Channel

MOSFET N-Channel — Encapsulado SOT669 — Vds=40V, Id=120A, RDSon=0.0017Ω, 294W

MOSFET N-Channel SOT669 294.000 W

Parametros principales

Vds Max 40 V
Id Max 120 A
RDSon 0.0017 Ω
Vgs Max 20 V
Potencia 294 W
Tj Max 175 °C
Especificaciones completas ▼
Package SOT669
tr - Rise Time 12.6 nS
Type of Control Channel N-Channel
Coss - Output Capacitance 1083 pF
|Id| - Maximum Drain Current 120 A
Pd - Maximum Power Dissipation 294 W
Tj - Maximum Junction Temperature 175 °C
|Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage 20 V
|Vds| - Maximum Drain-Source Voltage 40 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance 0.0017 Ohm

¿Que es el BUK7Y1R7-40H?

El BUK7Y1R7-40H es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado SOT669. Soporta hasta 40V entre drain y source con una corriente maxima de 120A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.0017 Ohm.

Los MOSFET como el BUK7Y1R7-40H se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.

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Preguntas frecuentes sobre el BUK7Y1R7-40H

¿Que tipo de transistor es el BUK7Y1R7-40H?

El BUK7Y1R7-40H es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado SOT669. Sus parametros principales son: Vds=40V, Id=120A, RDSon=0.0017Ω, 294W.

¿Cual es el voltaje maximo del BUK7Y1R7-40H?

El BUK7Y1R7-40H soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 40V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 20V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.

¿Que encapsulado tiene el BUK7Y1R7-40H?

El BUK7Y1R7-40H viene en encapsulado SOT669. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.

¿Para que sirve el BUK7Y1R7-40H?

El BUK7Y1R7-40H se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.

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