MOSFET BUK9Y1R6-40H N-Channel
MOSFET N-Channel — Encapsulado SOT669 — Vds=40V, Id=120A, RDSon=0.0016Ω, 294W
Parametros principales
| Package | SOT669 |
| tr - Rise Time | 30.3 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 1022 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 120 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 294 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 175 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 16 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 40 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.0016 Ohm |
¿Que es el BUK9Y1R6-40H?
El BUK9Y1R6-40H es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado SOT669. Soporta hasta 40V entre drain y source con una corriente maxima de 120A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.0016 Ohm.
Los MOSFET como el BUK9Y1R6-40H se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.
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Preguntas frecuentes sobre el BUK9Y1R6-40H
¿Que tipo de transistor es el BUK9Y1R6-40H?
El BUK9Y1R6-40H es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado SOT669. Sus parametros principales son: Vds=40V, Id=120A, RDSon=0.0016Ω, 294W.
¿Cual es el voltaje maximo del BUK9Y1R6-40H?
El BUK9Y1R6-40H soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 40V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 16V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.
¿Que encapsulado tiene el BUK9Y1R6-40H?
El BUK9Y1R6-40H viene en encapsulado SOT669. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.
¿Para que sirve el BUK9Y1R6-40H?
El BUK9Y1R6-40H se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.
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