MOSFET BUZ100S N-Channel
MOSFET N-Channel — Encapsulado TO-220AB — Vds=55V, Id=77A, RDSon=0.015Ω, 170W
Parametros principales
| Package | TO-220AB |
| tr - Rise Time | 30 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 615 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 77 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 170 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 175 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 55 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.015 Ohm |
¿Que es el BUZ100S?
El BUZ100S es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado TO-220AB. Soporta hasta 55V entre drain y source con una corriente maxima de 77A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.015 Ohm.
Los MOSFET como el BUZ100S se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.
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Preguntas frecuentes sobre el BUZ100S
¿Que tipo de transistor es el BUZ100S?
El BUZ100S es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-220AB. Sus parametros principales son: Vds=55V, Id=77A, RDSon=0.015Ω, 170W.
¿Cual es el voltaje maximo del BUZ100S?
El BUZ100S soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 55V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 20V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.
¿Que encapsulado tiene el BUZ100S?
El BUZ100S viene en encapsulado TO-220AB. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.
¿Para que sirve el BUZ100S?
El BUZ100S se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.
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