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MOS
FET

MOSFET BUZ102S N-Channel

MOSFET N-Channel — Encapsulado TO-220AB — Vds=55V, Id=52A, RDSon=0.023Ω, 120W

MOSFET N-Channel TO-220AB 120.000 W

Parametros principales

Vds Max 55 V

Id Max 52 A

RDSon 0.023 Ω

Vgs Max 20 V

Potencia 120 W

Tj Max 175 °C

Especificaciones completas ▼

Package	TO-220AB
tr - Rise Time	22 nS
Type of Control Channel	N-Channel
Coss - Output Capacitance	410 pF
\|Id\| - Maximum Drain Current	52 A
Pd - Maximum Power Dissipation	120 W
Tj - Maximum Junction Temperature	175 °C
\|Vgs\| - Maximum Gate-Source Voltage	20 V
\|Vds\| - Maximum Drain-Source Voltage	55 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance	0.023 Ohm

¿Que es el BUZ102S?

El BUZ102S es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado TO-220AB. Soporta hasta 55V entre drain y source con una corriente maxima de 52A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.023 Ohm.

Los MOSFET como el BUZ102S se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.

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Preguntas frecuentes sobre el BUZ102S

¿Que tipo de transistor es el BUZ102S?

El BUZ102S es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-220AB. Sus parametros principales son: Vds=55V, Id=52A, RDSon=0.023Ω, 120W.

¿Cual es el voltaje maximo del BUZ102S?

El BUZ102S soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 55V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 20V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.

¿Que encapsulado tiene el BUZ102S?

El BUZ102S viene en encapsulado TO-220AB. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.

¿Para que sirve el BUZ102S?

El BUZ102S se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.

¿Es gratis consultar los datos del BUZ102S?

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