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MOS
FET

MOSFET BUZ110S N-Channel

MOSFET N-Channel — Encapsulado TO-220AB — Vds=55V, Id=80A, RDSon=0.012Ω, 200W

MOSFET N-Channel TO-220AB 200.000 W

Parametros principales

Vds Max 55 V

Id Max 80 A

RDSon 0.012 Ω

Vgs Max 20 V

Potencia 200 W

Tj Max 175 °C

Especificaciones completas ▼

Package	TO-220AB
tr - Rise Time	35 nS
Type of Control Channel	N-Channel
Coss - Output Capacitance	745 pF
\|Id\| - Maximum Drain Current	80 A
Pd - Maximum Power Dissipation	200 W
Tj - Maximum Junction Temperature	175 °C
\|Vgs\| - Maximum Gate-Source Voltage	20 V
\|Vds\| - Maximum Drain-Source Voltage	55 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance	0.012 Ohm

¿Que es el BUZ110S?

El BUZ110S es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado TO-220AB. Soporta hasta 55V entre drain y source con una corriente maxima de 80A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.012 Ohm.

Los MOSFET como el BUZ110S se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.

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Preguntas frecuentes sobre el BUZ110S

¿Que tipo de transistor es el BUZ110S?

El BUZ110S es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-220AB. Sus parametros principales son: Vds=55V, Id=80A, RDSon=0.012Ω, 200W.

¿Cual es el voltaje maximo del BUZ110S?

El BUZ110S soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 55V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 20V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.

¿Que encapsulado tiene el BUZ110S?

El BUZ110S viene en encapsulado TO-220AB. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.

¿Para que sirve el BUZ110S?

El BUZ110S se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.

¿Es gratis consultar los datos del BUZ110S?

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