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MOS
FET

MOSFET BUZ111S N-Channel

MOSFET N-Channel — Encapsulado P-TO220 — Vds=55V, Id=80A, RDSon=0.008Ω, 300W

MOSFET N-Channel P-TO220 300.000 W

Parametros principales

Vds Max 55 V

Id Max 80 A

RDSon 0.008 Ω

Vgs Max 20 V

Potencia 300 W

Tj Max 175 °C

Especificaciones completas ▼

Package	P-TO220
tr - Rise Time	30 nS
Type of Control Channel	N-Channel
Coss - Output Capacitance	1100 pF
\|Id\| - Maximum Drain Current	80 A
Pd - Maximum Power Dissipation	300 W
Tj - Maximum Junction Temperature	175 °C
\|Vgs\| - Maximum Gate-Source Voltage	20 V
\|Vds\| - Maximum Drain-Source Voltage	55 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance	0.008 Ohm

¿Que es el BUZ111S?

El BUZ111S es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado P-TO220. Soporta hasta 55V entre drain y source con una corriente maxima de 80A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.008 Ohm.

Los MOSFET como el BUZ111S se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.

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Preguntas frecuentes sobre el BUZ111S

¿Que tipo de transistor es el BUZ111S?

El BUZ111S es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado P-TO220. Sus parametros principales son: Vds=55V, Id=80A, RDSon=0.008Ω, 300W.

¿Cual es el voltaje maximo del BUZ111S?

El BUZ111S soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 55V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 20V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.

¿Que encapsulado tiene el BUZ111S?

El BUZ111S viene en encapsulado P-TO220. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.

¿Para que sirve el BUZ111S?

El BUZ111S se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.

¿Es gratis consultar los datos del BUZ111S?

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