MOSFET C3M0120090J N-Channel
MOSFET N-Channel — Encapsulado D2PAK-7L — Vds=900V, Id=22A, RDSon=0.155Ω, 83W
Parametros principales
| Package | D2PAK-7L |
| tr - Rise Time | 9 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 40 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 22 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 83 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 18 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 900 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.155 Ohm |
¿Que es el C3M0120090J?
El C3M0120090J es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado D2PAK-7L. Soporta hasta 900V entre drain y source con una corriente maxima de 22A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.155 Ohm.
Los MOSFET como el C3M0120090J se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.
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Preguntas frecuentes sobre el C3M0120090J
¿Que tipo de transistor es el C3M0120090J?
El C3M0120090J es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado D2PAK-7L. Sus parametros principales son: Vds=900V, Id=22A, RDSon=0.155Ω, 83W.
¿Cual es el voltaje maximo del C3M0120090J?
El C3M0120090J soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 900V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 18V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.
¿Que encapsulado tiene el C3M0120090J?
El C3M0120090J viene en encapsulado D2PAK-7L. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.
¿Para que sirve el C3M0120090J?
El C3M0120090J se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.
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