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MOS
FET

MOSFET CEC2088E N-Channel

MOSFET N-Channel — Encapsulado DFN3X3 — Vds=20V, Id=36A, RDSon=0.009Ω, 17.8W

MOSFET N-Channel DFN3X3 17.800 W

Parametros principales

Vds Max 20 V

Id Max 36 A

RDSon 0.009 Ω

Vgs Max 8 V

Potencia 17.8 W

Tj Max 150 °C

Especificaciones completas ▼

Package	DFN3X3
tr - Rise Time	16 nS
Type of Control Channel	N-Channel
Coss - Output Capacitance	275 pF
\|Id\| - Maximum Drain Current	36 A
Pd - Maximum Power Dissipation	17.8 W
Tj - Maximum Junction Temperature	150 °C
\|Vgs\| - Maximum Gate-Source Voltage	8 V
\|Vds\| - Maximum Drain-Source Voltage	20 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance	0.009 Ohm

¿Que es el CEC2088E?

El CEC2088E es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado DFN3X3. Soporta hasta 20V entre drain y source con una corriente maxima de 36A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.009 Ohm.

Los MOSFET como el CEC2088E se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.

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Preguntas frecuentes sobre el CEC2088E

¿Que tipo de transistor es el CEC2088E?

El CEC2088E es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado DFN3X3. Sus parametros principales son: Vds=20V, Id=36A, RDSon=0.009Ω, 17.8W.

¿Cual es el voltaje maximo del CEC2088E?

El CEC2088E soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 20V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 8V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.

¿Que encapsulado tiene el CEC2088E?

El CEC2088E viene en encapsulado DFN3X3. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.

¿Para que sirve el CEC2088E?

El CEC2088E se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.

¿Es gratis consultar los datos del CEC2088E?

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