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MOS
FET

MOSFET CHM10N4NGP N-Channel

MOSFET N-Channel — Encapsulado D2PAK — Vds=450V, Id=10A, RDSon=0.7Ω, 125W

MOSFET N-Channel D2PAK 125.000 W

Parametros principales

Vds Max 450 V

Id Max 10 A

RDSon 0.7 Ω

Vgs Max 30 V

Potencia 125 W

Tj Max 150 °C

Especificaciones completas ▼

Package	D2PAK
tr - Rise Time	27 nS
Type of Control Channel	N-Channel
\|Id\| - Maximum Drain Current	10 A
Pd - Maximum Power Dissipation	125 W
Tj - Maximum Junction Temperature	150 °C
\|Vgs\| - Maximum Gate-Source Voltage	30 V
\|Vds\| - Maximum Drain-Source Voltage	450 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance	0.7 Ohm

¿Que es el CHM10N4NGP?

El CHM10N4NGP es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado D2PAK. Soporta hasta 450V entre drain y source con una corriente maxima de 10A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.7 Ohm.

Los MOSFET como el CHM10N4NGP se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.

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Preguntas frecuentes sobre el CHM10N4NGP

¿Que tipo de transistor es el CHM10N4NGP?

El CHM10N4NGP es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado D2PAK. Sus parametros principales son: Vds=450V, Id=10A, RDSon=0.7Ω, 125W.

¿Cual es el voltaje maximo del CHM10N4NGP?

El CHM10N4NGP soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 450V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 30V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.

¿Que encapsulado tiene el CHM10N4NGP?

El CHM10N4NGP viene en encapsulado D2PAK. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.

¿Para que sirve el CHM10N4NGP?

El CHM10N4NGP se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.

¿Es gratis consultar los datos del CHM10N4NGP?

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