MOSFET CHM12N10PAGP N-Channel
MOSFET N-Channel — Encapsulado TO-252 — Vds=100V, Id=11A, RDSon=0.18Ω, 43W
Parametros principales
| Package | TO-252 |
| tr - Rise Time | 7 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 90 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 11 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 43 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 100 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.18 Ohm |
¿Que es el CHM12N10PAGP?
El CHM12N10PAGP es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado TO-252. Soporta hasta 100V entre drain y source con una corriente maxima de 11A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.18 Ohm.
Los MOSFET como el CHM12N10PAGP se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.
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Preguntas frecuentes sobre el CHM12N10PAGP
¿Que tipo de transistor es el CHM12N10PAGP?
El CHM12N10PAGP es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-252. Sus parametros principales son: Vds=100V, Id=11A, RDSon=0.18Ω, 43W.
¿Cual es el voltaje maximo del CHM12N10PAGP?
El CHM12N10PAGP soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 100V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 20V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.
¿Que encapsulado tiene el CHM12N10PAGP?
El CHM12N10PAGP viene en encapsulado TO-252. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.
¿Para que sirve el CHM12N10PAGP?
El CHM12N10PAGP se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.
¿Es gratis consultar los datos del CHM12N10PAGP?
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