MOSFET CHM3U33SESGP NP-Channel
MOSFET NP-Channel — Encapsulado SOT-363 — Vds=20V, Id=0.2A, RDSon=0.9Ω, 0.15W
Parametros principales
| Package | SOT-363 |
| ton - Turn-on Time | 14 nS |
| Type of Control Channel | NP-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 8 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 0.2 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 0.15 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 8 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 20 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.9 Ohm |
¿Que es el CHM3U33SESGP?
El CHM3U33SESGP es un transistor MOSFET de canal NP-Channel en encapsulado SOT-363. Soporta hasta 20V entre drain y source con una corriente maxima de 0.2A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.9 Ohm.
Los MOSFET como el CHM3U33SESGP se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.
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Preguntas frecuentes sobre el CHM3U33SESGP
¿Que tipo de transistor es el CHM3U33SESGP?
El CHM3U33SESGP es un transistor MOSFET NP-Channel en encapsulado SOT-363. Sus parametros principales son: Vds=20V, Id=0.2A, RDSon=0.9Ω, 0.15W.
¿Cual es el voltaje maximo del CHM3U33SESGP?
El CHM3U33SESGP soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 20V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 8V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.
¿Que encapsulado tiene el CHM3U33SESGP?
El CHM3U33SESGP viene en encapsulado SOT-363. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.
¿Para que sirve el CHM3U33SESGP?
El CHM3U33SESGP se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.
¿Es gratis consultar los datos del CHM3U33SESGP?
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