MOSFET CHM6607JGP P-Channel
MOSFET P-Channel — Encapsulado SO-8 — Vds=60V, Id=3.8A, RDSon=0.086Ω, 2W
Parametros principales
| Package | SO-8 |
| tr - Rise Time | 7 nS |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 115 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 3.8 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 2 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 60 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.086 Ohm |
¿Que es el CHM6607JGP?
El CHM6607JGP es un transistor MOSFET de canal P-Channel en encapsulado SO-8. Soporta hasta 60V entre drain y source con una corriente maxima de 3.8A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.086 Ohm.
Los MOSFET como el CHM6607JGP se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.
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Preguntas frecuentes sobre el CHM6607JGP
¿Que tipo de transistor es el CHM6607JGP?
El CHM6607JGP es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado SO-8. Sus parametros principales son: Vds=60V, Id=3.8A, RDSon=0.086Ω, 2W.
¿Cual es el voltaje maximo del CHM6607JGP?
El CHM6607JGP soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 60V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 20V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.
¿Que encapsulado tiene el CHM6607JGP?
El CHM6607JGP viene en encapsulado SO-8. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.
¿Para que sirve el CHM6607JGP?
El CHM6607JGP se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.
¿Es gratis consultar los datos del CHM6607JGP?
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