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MOS
FET

MOSFET CHM83A3NGP N-Channel

MOSFET N-Channel — Encapsulado D2PAK — Vds=30V, Id=100A, RDSon=0.008Ω, 100W

MOSFET N-Channel D2PAK 100.000 W

Parametros principales

Vds Max 30 V

Id Max 100 A

RDSon 0.008 Ω

Vgs Max 20 V

Potencia 100 W

Tj Max 175 °C

Especificaciones completas ▼

Package	D2PAK
tr - Rise Time	10 nS
Type of Control Channel	N-Channel
\|Id\| - Maximum Drain Current	100 A
Pd - Maximum Power Dissipation	100 W
Tj - Maximum Junction Temperature	175 °C
\|Vgs\| - Maximum Gate-Source Voltage	20 V
\|Vds\| - Maximum Drain-Source Voltage	30 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance	0.008 Ohm

¿Que es el CHM83A3NGP?

El CHM83A3NGP es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado D2PAK. Soporta hasta 30V entre drain y source con una corriente maxima de 100A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.008 Ohm.

Los MOSFET como el CHM83A3NGP se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.

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Preguntas frecuentes sobre el CHM83A3NGP

¿Que tipo de transistor es el CHM83A3NGP?

El CHM83A3NGP es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado D2PAK. Sus parametros principales son: Vds=30V, Id=100A, RDSon=0.008Ω, 100W.

¿Cual es el voltaje maximo del CHM83A3NGP?

El CHM83A3NGP soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 20V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.

¿Que encapsulado tiene el CHM83A3NGP?

El CHM83A3NGP viene en encapsulado D2PAK. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.

¿Para que sirve el CHM83A3NGP?

El CHM83A3NGP se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.

¿Es gratis consultar los datos del CHM83A3NGP?

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