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MOS
FET

MOSFET CHM8811JGP N-Channel

MOSFET N-Channel — Encapsulado SO-8 — Vds=30V, Id=12.5A, RDSon=0.01Ω, 2.5W

MOSFET N-Channel SO-8 2.500 W

Parametros principales

Vds Max 30 V

Id Max 12.5 A

RDSon 0.01 Ω

Vgs Max 20 V

Potencia 2.5 W

Tj Max 150 °C

Especificaciones completas ▼

Package	SO-8
tr - Rise Time	9 nS
Type of Control Channel	N-Channel
\|Id\| - Maximum Drain Current	12.5 A
Pd - Maximum Power Dissipation	2.5 W
Tj - Maximum Junction Temperature	150 °C
\|Vgs\| - Maximum Gate-Source Voltage	20 V
\|Vds\| - Maximum Drain-Source Voltage	30 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance	0.01 Ohm

¿Que es el CHM8811JGP?

El CHM8811JGP es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado SO-8. Soporta hasta 30V entre drain y source con una corriente maxima de 12.5A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.01 Ohm.

Los MOSFET como el CHM8811JGP se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.

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Preguntas frecuentes sobre el CHM8811JGP

¿Que tipo de transistor es el CHM8811JGP?

El CHM8811JGP es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado SO-8. Sus parametros principales son: Vds=30V, Id=12.5A, RDSon=0.01Ω, 2.5W.

¿Cual es el voltaje maximo del CHM8811JGP?

El CHM8811JGP soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 20V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.

¿Que encapsulado tiene el CHM8811JGP?

El CHM8811JGP viene en encapsulado SO-8. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.

¿Para que sirve el CHM8811JGP?

El CHM8811JGP se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.

¿Es gratis consultar los datos del CHM8811JGP?

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