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MOS
FET

MOSFET CJQ4435S P-Channel

MOSFET P-Channel — Encapsulado SOP8 — Vds=30V, Id=7.3A, RDSon=0.024Ω, 1.4W

MOSFET P-Channel SOP8 1.400 W

Parametros principales

Vds Max 30 V

Id Max 7.3 A

RDSon 0.024 Ω

Vgs Max 20 V

Potencia 1.4 W

Tj Max 150 °C

Especificaciones completas ▼

Package	SOP8
tr - Rise Time	15 max nS
Type of Control Channel	P-Channel
Coss - Output Capacitance	165 pF
\|Id\| - Maximum Drain Current	7.3 A
Pd - Maximum Power Dissipation	1.4 W
Tj - Maximum Junction Temperature	150 °C
\|Vgs\| - Maximum Gate-Source Voltage	20 V
\|Vds\| - Maximum Drain-Source Voltage	30 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance	0.024 Ohm

¿Que es el CJQ4435S?

El CJQ4435S es un transistor MOSFET de canal P-Channel en encapsulado SOP8. Soporta hasta 30V entre drain y source con una corriente maxima de 7.3A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.024 Ohm.

Los MOSFET como el CJQ4435S se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.

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Preguntas frecuentes sobre el CJQ4435S

¿Que tipo de transistor es el CJQ4435S?

El CJQ4435S es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado SOP8. Sus parametros principales son: Vds=30V, Id=7.3A, RDSon=0.024Ω, 1.4W.

¿Cual es el voltaje maximo del CJQ4435S?

El CJQ4435S soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 20V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.

¿Que encapsulado tiene el CJQ4435S?

El CJQ4435S viene en encapsulado SOP8. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.

¿Para que sirve el CJQ4435S?

El CJQ4435S se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.

¿Es gratis consultar los datos del CJQ4435S?

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