MOSFET CPMF-1200-S160B N-Channel
MOSFET N-Channel — Encapsulado CHIP — Vds=1,200V, Id=28A, RDSon=0.22Ω, 202W
Parametros principales
| Package | CHIP |
| tr - Rise Time | 14 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 63 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 28 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 202 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 25 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 1200 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.22 Ohm |
¿Que es el CPMF-1200-S160B?
El CPMF-1200-S160B es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado CHIP. Soporta hasta 1,200V entre drain y source con una corriente maxima de 28A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.22 Ohm.
Los MOSFET como el CPMF-1200-S160B se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.
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Preguntas frecuentes sobre el CPMF-1200-S160B
¿Que tipo de transistor es el CPMF-1200-S160B?
El CPMF-1200-S160B es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado CHIP. Sus parametros principales son: Vds=1,200V, Id=28A, RDSon=0.22Ω, 202W.
¿Cual es el voltaje maximo del CPMF-1200-S160B?
El CPMF-1200-S160B soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 1,200V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 25V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.
¿Que encapsulado tiene el CPMF-1200-S160B?
El CPMF-1200-S160B viene en encapsulado CHIP. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.
¿Para que sirve el CPMF-1200-S160B?
El CPMF-1200-S160B se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.
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