MOSFET CS1N70A3H-G N-Channel
MOSFET N-Channel — Encapsulado TO-251 — Vds=700V, Id=0.8A, RDSon=16Ω, 25W
Parametros principales
| Package | TO-251 |
| tr - Rise Time | 5.9 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 9 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 0.8 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 25 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 700 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 16 Ohm |
¿Que es el CS1N70A3H-G?
El CS1N70A3H-G es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado TO-251. Soporta hasta 700V entre drain y source con una corriente maxima de 0.8A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 16 Ohm.
Los MOSFET como el CS1N70A3H-G se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.
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Preguntas frecuentes sobre el CS1N70A3H-G
¿Que tipo de transistor es el CS1N70A3H-G?
El CS1N70A3H-G es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-251. Sus parametros principales son: Vds=700V, Id=0.8A, RDSon=16Ω, 25W.
¿Cual es el voltaje maximo del CS1N70A3H-G?
El CS1N70A3H-G soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 700V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 30V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.
¿Que encapsulado tiene el CS1N70A3H-G?
El CS1N70A3H-G viene en encapsulado TO-251. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.
¿Para que sirve el CS1N70A3H-G?
El CS1N70A3H-G se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.
¿Es gratis consultar los datos del CS1N70A3H-G?
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