MOSFET CSD19536KTT N-Channel
MOSFET N-Channel — Encapsulado D2PAK — Vds=100V, Id=200A, RDSon=0.0024Ω, 375W
Parametros principales
| Package | D2PAK |
| tr - Rise Time | 8 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 1820 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 200 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 375 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 175 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 100 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.0024 Ohm |
¿Que es el CSD19536KTT?
El CSD19536KTT es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado D2PAK. Soporta hasta 100V entre drain y source con una corriente maxima de 200A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.0024 Ohm.
Los MOSFET como el CSD19536KTT se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.
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Preguntas frecuentes sobre el CSD19536KTT
¿Que tipo de transistor es el CSD19536KTT?
El CSD19536KTT es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado D2PAK. Sus parametros principales son: Vds=100V, Id=200A, RDSon=0.0024Ω, 375W.
¿Cual es el voltaje maximo del CSD19536KTT?
El CSD19536KTT soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 100V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 20V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.
¿Que encapsulado tiene el CSD19536KTT?
El CSD19536KTT viene en encapsulado D2PAK. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.
¿Para que sirve el CSD19536KTT?
El CSD19536KTT se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.
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