MOSFET CSD23202W10 P-Channel
MOSFET P-Channel — Encapsulado DSBGA — Vds=12V, Id=2.2A, RDSon=0.053Ω, 1W
Parametros principales
| Package | DSBGA |
| tr - Rise Time | 4 nS |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 238 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 2.2 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 1 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 6 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 12 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.053 Ohm |
¿Que es el CSD23202W10?
El CSD23202W10 es un transistor MOSFET de canal P-Channel en encapsulado DSBGA. Soporta hasta 12V entre drain y source con una corriente maxima de 2.2A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.053 Ohm.
Los MOSFET como el CSD23202W10 se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.
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Preguntas frecuentes sobre el CSD23202W10
¿Que tipo de transistor es el CSD23202W10?
El CSD23202W10 es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado DSBGA. Sus parametros principales son: Vds=12V, Id=2.2A, RDSon=0.053Ω, 1W.
¿Cual es el voltaje maximo del CSD23202W10?
El CSD23202W10 soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 12V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 6V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.
¿Que encapsulado tiene el CSD23202W10?
El CSD23202W10 viene en encapsulado DSBGA. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.
¿Para que sirve el CSD23202W10?
El CSD23202W10 se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.
¿Es gratis consultar los datos del CSD23202W10?
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