MOSFET CSD85312Q3E N-Channel
MOSFET N-Channel — Encapsulado SON3.3X3.3 — Vds=20V, Id=12A, RDSon=0.0124Ω, 2.5W
Parametros principales
| Package | SON3.3X3.3 |
| tr - Rise Time | 27 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 492 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 12 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 2.5 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 10 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 20 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.0124 Ohm |
¿Que es el CSD85312Q3E?
El CSD85312Q3E es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado SON3.3X3.3. Soporta hasta 20V entre drain y source con una corriente maxima de 12A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.0124 Ohm.
Los MOSFET como el CSD85312Q3E se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.
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Preguntas frecuentes sobre el CSD85312Q3E
¿Que tipo de transistor es el CSD85312Q3E?
El CSD85312Q3E es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado SON3.3X3.3. Sus parametros principales son: Vds=20V, Id=12A, RDSon=0.0124Ω, 2.5W.
¿Cual es el voltaje maximo del CSD85312Q3E?
El CSD85312Q3E soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 20V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 10V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.
¿Que encapsulado tiene el CSD85312Q3E?
El CSD85312Q3E viene en encapsulado SON3.3X3.3. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.
¿Para que sirve el CSD85312Q3E?
El CSD85312Q3E se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.
¿Es gratis consultar los datos del CSD85312Q3E?
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