MOSFET CSD86311W1723 N-Channel
MOSFET N-Channel — Encapsulado WLP1.7X2.3 — Vds=25V, Id=4.5A, RDSon=0.039Ω, 1.5W
Parametros principales
| Package | WLP1.7X2.3 |
| tr - Rise Time | 4.3 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 250 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 4.5 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 1.5 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 10 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 25 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.039 Ohm |
¿Que es el CSD86311W1723?
El CSD86311W1723 es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado WLP1.7X2.3. Soporta hasta 25V entre drain y source con una corriente maxima de 4.5A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.039 Ohm.
Los MOSFET como el CSD86311W1723 se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.
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Preguntas frecuentes sobre el CSD86311W1723
¿Que tipo de transistor es el CSD86311W1723?
El CSD86311W1723 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado WLP1.7X2.3. Sus parametros principales son: Vds=25V, Id=4.5A, RDSon=0.039Ω, 1.5W.
¿Cual es el voltaje maximo del CSD86311W1723?
El CSD86311W1723 soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 25V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 10V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.
¿Que encapsulado tiene el CSD86311W1723?
El CSD86311W1723 viene en encapsulado WLP1.7X2.3. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.
¿Para que sirve el CSD86311W1723?
El CSD86311W1723 se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.
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