MOSFET CTD03N003 N-Channel
MOSFET N-Channel — Encapsulado TO-252 — Vds=30V, Id=180A, RDSon=0.003Ω, 90W
Parametros principales
| Package | TO-252 |
| tr - Rise Time | 6.3 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 725 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 180 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 90 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 175 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 30 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.003 Ohm |
¿Que es el CTD03N003?
El CTD03N003 es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado TO-252. Soporta hasta 30V entre drain y source con una corriente maxima de 180A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.003 Ohm.
Los MOSFET como el CTD03N003 se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.
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Preguntas frecuentes sobre el CTD03N003
¿Que tipo de transistor es el CTD03N003?
El CTD03N003 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-252. Sus parametros principales son: Vds=30V, Id=180A, RDSon=0.003Ω, 90W.
¿Cual es el voltaje maximo del CTD03N003?
El CTD03N003 soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 20V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.
¿Que encapsulado tiene el CTD03N003?
El CTD03N003 viene en encapsulado TO-252. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.
¿Para que sirve el CTD03N003?
El CTD03N003 se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.
¿Es gratis consultar los datos del CTD03N003?
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