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MOS
FET

MOSFET CTLDM303N-M832DS N-Channel

MOSFET N-Channel — Encapsulado TLM832DS — Vds=30V, Id=3.6A, RDSon=0.04Ω, 1.65W

MOSFET N-Channel TLM832DS 1.650 W

Parametros principales

Vds Max 30 V

Id Max 3.6 A

RDSon 0.04 Ω

Vgs Max 12 V

Potencia 1.65 W

Tj Max 150 °C

Especificaciones completas ▼

Package	TLM832DS
Type of Control Channel	N-Channel
Coss - Output Capacitance	50 pF
\|Id\| - Maximum Drain Current	3.6 A
Pd - Maximum Power Dissipation	1.65 W
Tj - Maximum Junction Temperature	150 °C
\|Vgs\| - Maximum Gate-Source Voltage	12 V
\|Vds\| - Maximum Drain-Source Voltage	30 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance	0.04 Ohm

¿Que es el CTLDM303N-M832DS?

El CTLDM303N-M832DS es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado TLM832DS. Soporta hasta 30V entre drain y source con una corriente maxima de 3.6A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.04 Ohm.

Los MOSFET como el CTLDM303N-M832DS se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.

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Preguntas frecuentes sobre el CTLDM303N-M832DS

¿Que tipo de transistor es el CTLDM303N-M832DS?

El CTLDM303N-M832DS es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TLM832DS. Sus parametros principales son: Vds=30V, Id=3.6A, RDSon=0.04Ω, 1.65W.

¿Cual es el voltaje maximo del CTLDM303N-M832DS?

El CTLDM303N-M832DS soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 12V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.

¿Que encapsulado tiene el CTLDM303N-M832DS?

El CTLDM303N-M832DS viene en encapsulado TLM832DS. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.

¿Para que sirve el CTLDM303N-M832DS?

El CTLDM303N-M832DS se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.

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