MOSFET CXDM6053N N-Channel
MOSFET N-Channel — Encapsulado SOT-89 — Vds=60V, Id=5.3A, RDSon=0.041Ω, 1.2W
Parametros principales
| Package | SOT-89 |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 49 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 5.3 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 1.2 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 60 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.041 Ohm |
¿Que es el CXDM6053N?
El CXDM6053N es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado SOT-89. Soporta hasta 60V entre drain y source con una corriente maxima de 5.3A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.041 Ohm.
Los MOSFET como el CXDM6053N se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.
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Preguntas frecuentes sobre el CXDM6053N
¿Que tipo de transistor es el CXDM6053N?
El CXDM6053N es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado SOT-89. Sus parametros principales son: Vds=60V, Id=5.3A, RDSon=0.041Ω, 1.2W.
¿Cual es el voltaje maximo del CXDM6053N?
El CXDM6053N soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 60V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 20V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.
¿Que encapsulado tiene el CXDM6053N?
El CXDM6053N viene en encapsulado SOT-89. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.
¿Para que sirve el CXDM6053N?
El CXDM6053N se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.
¿Es gratis consultar los datos del CXDM6053N?
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