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MOS
FET

MOSFET DHS055N07B N-Channel

MOSFET N-Channel — Encapsulado TO251 — Vds=68V, Id=95A, RDSon=0.007Ω, 96W

MOSFET N-Channel TO251 96.000 W

Parametros principales

Vds Max 68 V

Id Max 95 A

RDSon 0.007 Ω

Vgs Max 20 V

Potencia 96 W

Tj Max 150 °C

Especificaciones completas ▼

Package	TO251
tr - Rise Time	77.1 nS
Type of Control Channel	N-Channel
Coss - Output Capacitance	466 pF
\|Id\| - Maximum Drain Current	95 A
Pd - Maximum Power Dissipation	96 W
Tj - Maximum Junction Temperature	150 °C
\|Vgs\| - Maximum Gate-Source Voltage	20 V
\|Vds\| - Maximum Drain-Source Voltage	68 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance	0.007 Ohm

Transistores equivalentes y compatibles

Los siguientes transistores pueden usarse como reemplazo del DHS055N07B:

Ver los 30 equivalentes en el comparador →

¿Que es el DHS055N07B?

El DHS055N07B es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado TO251. Soporta hasta 68V entre drain y source con una corriente maxima de 95A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.007 Ohm.

Los MOSFET como el DHS055N07B se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.

Si necesitas comparar parametros con los equivalentes, usa nuestro comparador lado a lado. Tambien podes explorar todos los transistores MOSFET disponibles.

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Preguntas frecuentes sobre el DHS055N07B

¿Con que transistor puedo reemplazar el DHS055N07B?

Los reemplazos compatibles para el DHS055N07B incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, CMD30DN03, CMD30N06AL, CMD30N10, y 20 mas. Verifica que los parametros clave (voltaje, corriente, encapsulado) sean compatibles con tu circuito antes de sustituir.

¿Que tipo de transistor es el DHS055N07B?

El DHS055N07B es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO251. Sus parametros principales son: Vds=68V, Id=95A, RDSon=0.007Ω, 96W.

¿Cual es el voltaje maximo del DHS055N07B?

El DHS055N07B soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 68V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 20V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.

¿Que encapsulado tiene el DHS055N07B?

El DHS055N07B viene en encapsulado TO251. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.

¿Para que sirve el DHS055N07B?

El DHS055N07B se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.

¿Es gratis consultar los datos del DHS055N07B?

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