MOSFET DMN2013UFX N-Channel
MOSFET N-Channel — Encapsulado W-DFN5020-6 — Vds=20V, Id=10A, RDSon=0.0115Ω, 0.78W
Parametros principales
| Package | W-DFN5020-6 |
| tr - Rise Time | 20.3 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 255 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 10 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 0.78 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 8 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 20 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.0115 Ohm |
¿Que es el DMN2013UFX?
El DMN2013UFX es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado W-DFN5020-6. Soporta hasta 20V entre drain y source con una corriente maxima de 10A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.0115 Ohm.
Los MOSFET como el DMN2013UFX se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.
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Preguntas frecuentes sobre el DMN2013UFX
¿Que tipo de transistor es el DMN2013UFX?
El DMN2013UFX es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado W-DFN5020-6. Sus parametros principales son: Vds=20V, Id=10A, RDSon=0.0115Ω, 0.78W.
¿Cual es el voltaje maximo del DMN2013UFX?
El DMN2013UFX soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 20V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 8V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.
¿Que encapsulado tiene el DMN2013UFX?
El DMN2013UFX viene en encapsulado W-DFN5020-6. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.
¿Para que sirve el DMN2013UFX?
El DMN2013UFX se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.
¿Es gratis consultar los datos del DMN2013UFX?
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