MOSFET DMN21D2UFB N-Channel
MOSFET N-Channel — Encapsulado X1-DFN1006-3 — Vds=20V, Id=0.76A, RDSon=0.99Ω, 0.38W
Parametros principales
| Package | X1-DFN1006-3 |
| tr - Rise Time | 4.2 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 4 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 0.76 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 0.38 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 12 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 20 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.99 Ohm |
¿Que es el DMN21D2UFB?
El DMN21D2UFB es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado X1-DFN1006-3. Soporta hasta 20V entre drain y source con una corriente maxima de 0.76A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.99 Ohm.
Los MOSFET como el DMN21D2UFB se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.
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Preguntas frecuentes sobre el DMN21D2UFB
¿Que tipo de transistor es el DMN21D2UFB?
El DMN21D2UFB es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado X1-DFN1006-3. Sus parametros principales son: Vds=20V, Id=0.76A, RDSon=0.99Ω, 0.38W.
¿Cual es el voltaje maximo del DMN21D2UFB?
El DMN21D2UFB soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 20V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 12V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.
¿Que encapsulado tiene el DMN21D2UFB?
El DMN21D2UFB viene en encapsulado X1-DFN1006-3. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.
¿Para que sirve el DMN21D2UFB?
El DMN21D2UFB se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.
¿Es gratis consultar los datos del DMN21D2UFB?
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