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MOS
FET

MOSFET DMN80H2D0SCTI N-Channel

MOSFET N-Channel — Encapsulado TO220F — Vds=800V, Id=7A, RDSon=2Ω, 41W

MOSFET N-Channel TO220F 41.000 W

Parametros principales

Vds Max 800 V

Id Max 7 A

RDSon 2 Ω

Vgs Max 30 V

Potencia 41 W

Tj Max 150 °C

Especificaciones completas ▼

Package	TO220F
tr - Rise Time	35.8 nS
Type of Control Channel	N-Channel
Coss - Output Capacitance	115 pF
\|Id\| - Maximum Drain Current	7 A
Pd - Maximum Power Dissipation	41 W
Tj - Maximum Junction Temperature	150 °C
\|Vgs\| - Maximum Gate-Source Voltage	30 V
\|Vds\| - Maximum Drain-Source Voltage	800 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance	2 Ohm

¿Que es el DMN80H2D0SCTI?

El DMN80H2D0SCTI es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado TO220F. Soporta hasta 800V entre drain y source con una corriente maxima de 7A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 2 Ohm.

Los MOSFET como el DMN80H2D0SCTI se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.

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Preguntas frecuentes sobre el DMN80H2D0SCTI

¿Que tipo de transistor es el DMN80H2D0SCTI?

El DMN80H2D0SCTI es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO220F. Sus parametros principales son: Vds=800V, Id=7A, RDSon=2Ω, 41W.

¿Cual es el voltaje maximo del DMN80H2D0SCTI?

El DMN80H2D0SCTI soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 800V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 30V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.

¿Que encapsulado tiene el DMN80H2D0SCTI?

El DMN80H2D0SCTI viene en encapsulado TO220F. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.

¿Para que sirve el DMN80H2D0SCTI?

El DMN80H2D0SCTI se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.

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