MOSFET DMTH8012LPSW N-Channel
MOSFET N-Channel — Encapsulado POWERDI5060-8 — Vds=80V, Id=53.7A, RDSon=0.017Ω, 83.3W
Parametros principales
| Package | POWERDI5060-8 |
| tr - Rise Time | 3.8 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 177 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 53.7 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 83.3 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 175 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 80 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.017 Ohm |
¿Que es el DMTH8012LPSW?
El DMTH8012LPSW es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado POWERDI5060-8. Soporta hasta 80V entre drain y source con una corriente maxima de 53.7A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.017 Ohm.
Los MOSFET como el DMTH8012LPSW se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.
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Preguntas frecuentes sobre el DMTH8012LPSW
¿Que tipo de transistor es el DMTH8012LPSW?
El DMTH8012LPSW es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado POWERDI5060-8. Sus parametros principales son: Vds=80V, Id=53.7A, RDSon=0.017Ω, 83.3W.
¿Cual es el voltaje maximo del DMTH8012LPSW?
El DMTH8012LPSW soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 80V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 20V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.
¿Que encapsulado tiene el DMTH8012LPSW?
El DMTH8012LPSW viene en encapsulado POWERDI5060-8. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.
¿Para que sirve el DMTH8012LPSW?
El DMTH8012LPSW se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.
¿Es gratis consultar los datos del DMTH8012LPSW?
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