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MOS
FET

MOSFET ECH8402 N-Channel

MOSFET N-Channel — Encapsulado ECH8 — Vds=30V, Id=10A, RDSon=0.015Ω, 1.6W

MOSFET N-Channel ECH8 1.600 W

Parametros principales

Vds Max 30 V

Id Max 10 A

RDSon 0.015 Ω

Vgs Max 20 V

Potencia 1.6 W

Tj Max 150 °C

Especificaciones completas ▼

Package	ECH8
tr - Rise Time	82 nS
Type of Control Channel	N-Channel
Coss - Output Capacitance	270 pF
\|Id\| - Maximum Drain Current	10 A
Pd - Maximum Power Dissipation	1.6 W
Tj - Maximum Junction Temperature	150 °C
\|Vgs\| - Maximum Gate-Source Voltage	20 V
\|Vds\| - Maximum Drain-Source Voltage	30 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance	0.015 Ohm

¿Que es el ECH8402?

El ECH8402 es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado ECH8. Soporta hasta 30V entre drain y source con una corriente maxima de 10A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.015 Ohm.

Los MOSFET como el ECH8402 se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.

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Preguntas frecuentes sobre el ECH8402

¿Que tipo de transistor es el ECH8402?

El ECH8402 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado ECH8. Sus parametros principales son: Vds=30V, Id=10A, RDSon=0.015Ω, 1.6W.

¿Cual es el voltaje maximo del ECH8402?

El ECH8402 soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 20V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.

¿Que encapsulado tiene el ECH8402?

El ECH8402 viene en encapsulado ECH8. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.

¿Para que sirve el ECH8402?

El ECH8402 se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.

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