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MOS
FET

MOSFET EFC6612R-TF N-Channel

MOSFET N-Channel — Encapsulado EFCP — Vds=20V, Id=23A, RDSon=0.0051Ω, 2.5W

MOSFET N-Channel EFCP 2.500 W

Parametros principales

Vds Max 20 V

Id Max 23 A

RDSon 0.0051 Ω

Vgs Max 12 V

Potencia 2.5 W

Tj Max 150 °C

Especificaciones completas ▼

Package	EFCP
tr - Rise Time	640 nS
Type of Control Channel	N-Channel
\|Id\| - Maximum Drain Current	23 A
Pd - Maximum Power Dissipation	2.5 W
Tj - Maximum Junction Temperature	150 °C
\|Vgs\| - Maximum Gate-Source Voltage	12 V
\|Vds\| - Maximum Drain-Source Voltage	20 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance	0.0051 Ohm

¿Que es el EFC6612R-TF?

El EFC6612R-TF es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado EFCP. Soporta hasta 20V entre drain y source con una corriente maxima de 23A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.0051 Ohm.

Los MOSFET como el EFC6612R-TF se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.

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Preguntas frecuentes sobre el EFC6612R-TF

¿Que tipo de transistor es el EFC6612R-TF?

El EFC6612R-TF es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado EFCP. Sus parametros principales son: Vds=20V, Id=23A, RDSon=0.0051Ω, 2.5W.

¿Cual es el voltaje maximo del EFC6612R-TF?

El EFC6612R-TF soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 20V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 12V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.

¿Que encapsulado tiene el EFC6612R-TF?

El EFC6612R-TF viene en encapsulado EFCP. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.

¿Para que sirve el EFC6612R-TF?

El EFC6612R-TF se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.

¿Es gratis consultar los datos del EFC6612R-TF?

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