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MOS
FET

MOSFET EFC8811R N-Channel

MOSFET N-Channel — Encapsulado CSP6 — Vds=12V, Id=27A, RDSon=0.0032Ω, 2.5W

MOSFET N-Channel CSP6 2.500 W

Parametros principales

Vds Max 12 V

Id Max 27 A

RDSon 0.0032 Ω

Vgs Max 8 V

Potencia 2.5 W

Tj Max 150 °C

Especificaciones completas ▼

Package	CSP6
tr - Rise Time	570 nS
Type of Control Channel	N-Channel
\|Id\| - Maximum Drain Current	27 A
Pd - Maximum Power Dissipation	2.5 W
Tj - Maximum Junction Temperature	150 °C
\|Vgs\| - Maximum Gate-Source Voltage	8 V
\|Vds\| - Maximum Drain-Source Voltage	12 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance	0.0032 Ohm

¿Que es el EFC8811R?

El EFC8811R es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado CSP6. Soporta hasta 12V entre drain y source con una corriente maxima de 27A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.0032 Ohm.

Los MOSFET como el EFC8811R se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.

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Preguntas frecuentes sobre el EFC8811R

¿Que tipo de transistor es el EFC8811R?

El EFC8811R es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado CSP6. Sus parametros principales son: Vds=12V, Id=27A, RDSon=0.0032Ω, 2.5W.

¿Cual es el voltaje maximo del EFC8811R?

El EFC8811R soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 12V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 8V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.

¿Que encapsulado tiene el EFC8811R?

El EFC8811R viene en encapsulado CSP6. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.

¿Para que sirve el EFC8811R?

El EFC8811R se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.

¿Es gratis consultar los datos del EFC8811R?

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