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MOS
FET

MOSFET EMB09N03V N-Channel

MOSFET N-Channel — Encapsulado EDFN3X3 — Vds=30V, Id=20A, RDSon=0.009Ω, 21W

MOSFET N-Channel EDFN3X3 21.000 W

Parametros principales

Vds Max 30 V
Id Max 20 A
RDSon 0.009 Ω
Vgs Max 20 V
Potencia 21 W
Tj Max 150 °C
Especificaciones completas
Package EDFN3X3
tr - Rise Time 15 nS
Type of Control Channel N-Channel
Coss - Output Capacitance 196 pF
|Id| - Maximum Drain Current 20 A
Pd - Maximum Power Dissipation 21 W
Tj - Maximum Junction Temperature 150 °C
|Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage 20 V
|Vds| - Maximum Drain-Source Voltage 30 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance 0.009 Ohm

¿Que es el EMB09N03V?

El EMB09N03V es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado EDFN3X3. Soporta hasta 30V entre drain y source con una corriente maxima de 20A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.009 Ohm.

Los MOSFET como el EMB09N03V se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.

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Preguntas frecuentes sobre el EMB09N03V

¿Que tipo de transistor es el EMB09N03V?

El EMB09N03V es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado EDFN3X3. Sus parametros principales son: Vds=30V, Id=20A, RDSon=0.009Ω, 21W.

¿Cual es el voltaje maximo del EMB09N03V?

El EMB09N03V soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 20V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.

¿Que encapsulado tiene el EMB09N03V?

El EMB09N03V viene en encapsulado EDFN3X3. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.

¿Para que sirve el EMB09N03V?

El EMB09N03V se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.

¿Es gratis consultar los datos del EMB09N03V?

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