MOSFET EMB20P03V P-Channel
MOSFET P-Channel — Encapsulado EDFN3X3 — Vds=30V, Id=18A, RDSon=0.02Ω, 2.5W
Parametros principales
| Package | EDFN3X3 |
| tr - Rise Time | 8 nS |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 208 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 18 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 2.5 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 25 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 30 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.02 Ohm |
¿Que es el EMB20P03V?
El EMB20P03V es un transistor MOSFET de canal P-Channel en encapsulado EDFN3X3. Soporta hasta 30V entre drain y source con una corriente maxima de 18A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.02 Ohm.
Los MOSFET como el EMB20P03V se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.
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Preguntas frecuentes sobre el EMB20P03V
¿Que tipo de transistor es el EMB20P03V?
El EMB20P03V es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado EDFN3X3. Sus parametros principales son: Vds=30V, Id=18A, RDSon=0.02Ω, 2.5W.
¿Cual es el voltaje maximo del EMB20P03V?
El EMB20P03V soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 25V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.
¿Que encapsulado tiene el EMB20P03V?
El EMB20P03V viene en encapsulado EDFN3X3. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.
¿Para que sirve el EMB20P03V?
El EMB20P03V se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.
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