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MOS
FET

MOSFET ET6303 P-Channel

MOSFET P-Channel — Encapsulado PDFN3333 — Vds=30V, Id=47A, RDSon=0.011Ω, 38W

MOSFET P-Channel PDFN3333 38.000 W

Parametros principales

Vds Max 30 V

Id Max 47 A

RDSon 0.011 Ω

Vgs Max 20 V

Potencia 38 W

Tj Max 150 °C

Especificaciones completas ▼

Package	PDFN3333
tr - Rise Time	33 nS
Type of Control Channel	P-Channel
Coss - Output Capacitance	395 pF
\|Id\| - Maximum Drain Current	47 A
Pd - Maximum Power Dissipation	38 W
Tj - Maximum Junction Temperature	150 °C
\|Vgs\| - Maximum Gate-Source Voltage	20 V
\|Vds\| - Maximum Drain-Source Voltage	30 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance	0.011 Ohm

¿Que es el ET6303?

El ET6303 es un transistor MOSFET de canal P-Channel en encapsulado PDFN3333. Soporta hasta 30V entre drain y source con una corriente maxima de 47A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.011 Ohm.

Los MOSFET como el ET6303 se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.

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Preguntas frecuentes sobre el ET6303

¿Que tipo de transistor es el ET6303?

El ET6303 es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado PDFN3333. Sus parametros principales son: Vds=30V, Id=47A, RDSon=0.011Ω, 38W.

¿Cual es el voltaje maximo del ET6303?

El ET6303 soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 20V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.

¿Que encapsulado tiene el ET6303?

El ET6303 viene en encapsulado PDFN3333. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.

¿Para que sirve el ET6303?

El ET6303 se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.

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