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MOS
FET

MOSFET F3L15MR12W2M1B69 N-Channel

MOSFET N-Channel — Encapsulado MODULE — Vds=1,200V, Id=75A, RDSon=0.015Ω

MOSFET N-Channel MODULE

Parametros principales

Vds Max 1,200 V

Id Max 75 A

RDSon 0.015 Ω

Vgs Max 20 V

Tj Max 150 °C

Especificaciones completas ▼

Package	MODULE
tr - Rise Time	13 nS
Type of Control Channel	N-Channel
Coss - Output Capacitance	330 pF
\|Id\| - Maximum Drain Current	75 A
Tj - Maximum Junction Temperature	150 °C
\|Vgs\| - Maximum Gate-Source Voltage	20 V
\|Vds\| - Maximum Drain-Source Voltage	1200 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance	0.015 Ohm

¿Que es el F3L15MR12W2M1B69?

El F3L15MR12W2M1B69 es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado MODULE. Soporta hasta 1,200V entre drain y source con una corriente maxima de 75A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.015 Ohm.

Los MOSFET como el F3L15MR12W2M1B69 se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.

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Preguntas frecuentes sobre el F3L15MR12W2M1B69

¿Que tipo de transistor es el F3L15MR12W2M1B69?

El F3L15MR12W2M1B69 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado MODULE. Sus parametros principales son: Vds=1,200V, Id=75A, RDSon=0.015Ω.

¿Cual es el voltaje maximo del F3L15MR12W2M1B69?

El F3L15MR12W2M1B69 soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 1,200V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 20V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.

¿Que encapsulado tiene el F3L15MR12W2M1B69?

El F3L15MR12W2M1B69 viene en encapsulado MODULE. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.

¿Para que sirve el F3L15MR12W2M1B69?

El F3L15MR12W2M1B69 se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.

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