MOSFET FCAB21520L1 N-Channel
MOSFET N-Channel — Encapsulado TCSP1835011-N2 — Vds=12V, Id=16A, RDSon=0.002Ω, 0.54W
Parametros principales
| Package | TCSP1835011-N2 |
| tr - Rise Time | 2.6 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 700 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 16 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 0.54 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 8 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 12 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.002 Ohm |
¿Que es el FCAB21520L1?
El FCAB21520L1 es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado TCSP1835011-N2. Soporta hasta 12V entre drain y source con una corriente maxima de 16A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.002 Ohm.
Los MOSFET como el FCAB21520L1 se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.
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Preguntas frecuentes sobre el FCAB21520L1
¿Que tipo de transistor es el FCAB21520L1?
El FCAB21520L1 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TCSP1835011-N2. Sus parametros principales son: Vds=12V, Id=16A, RDSon=0.002Ω, 0.54W.
¿Cual es el voltaje maximo del FCAB21520L1?
El FCAB21520L1 soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 12V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 8V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.
¿Que encapsulado tiene el FCAB21520L1?
El FCAB21520L1 viene en encapsulado TCSP1835011-N2. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.
¿Para que sirve el FCAB21520L1?
El FCAB21520L1 se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.
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