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MOS
FET

MOSFET FCP190N60_GF102 N-Channel

MOSFET N-Channel — Encapsulado TO220 — Vds=600V, Id=20.2A, RDSon=0.199Ω, 208W

MOSFET N-Channel TO220 208.000 W

Parametros principales

Vds Max 600 V

Id Max 20.2 A

RDSon 0.199 Ω

Vgs Max 20 V

Potencia 208 W

Tj Max 150 °C

Especificaciones completas ▼

Package	TO220
tr - Rise Time	10 nS
Type of Control Channel	N-Channel
Coss - Output Capacitance	1630 pF
\|Id\| - Maximum Drain Current	20.2 A
Pd - Maximum Power Dissipation	208 W
Tj - Maximum Junction Temperature	150 °C
\|Vgs\| - Maximum Gate-Source Voltage	20 V
\|Vds\| - Maximum Drain-Source Voltage	600 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance	0.199 Ohm

¿Que es el FCP190N60_GF102?

El FCP190N60_GF102 es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado TO220. Soporta hasta 600V entre drain y source con una corriente maxima de 20.2A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.199 Ohm.

Los MOSFET como el FCP190N60_GF102 se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.

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Preguntas frecuentes sobre el FCP190N60_GF102

¿Que tipo de transistor es el FCP190N60_GF102?

El FCP190N60_GF102 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO220. Sus parametros principales son: Vds=600V, Id=20.2A, RDSon=0.199Ω, 208W.

¿Cual es el voltaje maximo del FCP190N60_GF102?

El FCP190N60_GF102 soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 600V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 20V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.

¿Que encapsulado tiene el FCP190N60_GF102?

El FCP190N60_GF102 viene en encapsulado TO220. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.

¿Para que sirve el FCP190N60_GF102?

El FCP190N60_GF102 se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.

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