MOSFET FCU600N65S3R0 N-Channel
MOSFET N-Channel — Encapsulado IPAK — Vds=650V, Id=6A, RDSon=0.6Ω, 54W
Parametros principales
| Package | IPAK |
| tr - Rise Time | 9 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 10 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 6 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 54 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 650 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.6 Ohm |
¿Que es el FCU600N65S3R0?
El FCU600N65S3R0 es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado IPAK. Soporta hasta 650V entre drain y source con una corriente maxima de 6A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.6 Ohm.
Los MOSFET como el FCU600N65S3R0 se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.
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Preguntas frecuentes sobre el FCU600N65S3R0
¿Que tipo de transistor es el FCU600N65S3R0?
El FCU600N65S3R0 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado IPAK. Sus parametros principales son: Vds=650V, Id=6A, RDSon=0.6Ω, 54W.
¿Cual es el voltaje maximo del FCU600N65S3R0?
El FCU600N65S3R0 soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 650V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 30V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.
¿Que encapsulado tiene el FCU600N65S3R0?
El FCU600N65S3R0 viene en encapsulado IPAK. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.
¿Para que sirve el FCU600N65S3R0?
El FCU600N65S3R0 se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.
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