MOSFET FDB1D7N10CL7 N-Channel
MOSFET N-Channel — Encapsulado D2-PAK-7L — Vds=100V, Id=268A, RDSon=0.0018Ω, 250W
Parametros principales
| Package | D2-PAK-7L |
| tr - Rise Time | 33 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 5025 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 268 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 250 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 175 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 100 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.00175 Ohm |
¿Que es el FDB1D7N10CL7?
El FDB1D7N10CL7 es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado D2-PAK-7L. Soporta hasta 100V entre drain y source con una corriente maxima de 268A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.0018 Ohm.
Los MOSFET como el FDB1D7N10CL7 se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.
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Preguntas frecuentes sobre el FDB1D7N10CL7
¿Que tipo de transistor es el FDB1D7N10CL7?
El FDB1D7N10CL7 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado D2-PAK-7L. Sus parametros principales son: Vds=100V, Id=268A, RDSon=0.0018Ω, 250W.
¿Cual es el voltaje maximo del FDB1D7N10CL7?
El FDB1D7N10CL7 soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 100V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 20V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.
¿Que encapsulado tiene el FDB1D7N10CL7?
El FDB1D7N10CL7 viene en encapsulado D2-PAK-7L. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.
¿Para que sirve el FDB1D7N10CL7?
El FDB1D7N10CL7 se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.
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