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MOS
FET

MOSFET FDD1600N10ALZD N-Channel

MOSFET N-Channel — Encapsulado TO252-5L — Vds=100V, Id=6.8A, RDSon=0.16Ω, 14.9W

MOSFET N-Channel TO252-5L 14.900 W

Parametros principales

Vds Max 100 V

Id Max 6.8 A

RDSon 0.16 Ω

Vgs Max 20 V

Potencia 14.9 W

Tj Max 150 °C

Especificaciones completas ▼

Package	TO252-5L
tr - Rise Time	2 nS
Type of Control Channel	N-Channel
Coss - Output Capacitance	43 pF
\|Id\| - Maximum Drain Current	6.8 A
Pd - Maximum Power Dissipation	14.9 W
Tj - Maximum Junction Temperature	150 °C
\|Vgs\| - Maximum Gate-Source Voltage	20 V
\|Vds\| - Maximum Drain-Source Voltage	100 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance	0.16 Ohm

Transistores equivalentes y compatibles

Los siguientes transistores pueden usarse como reemplazo del FDD1600N10ALZD:

2SK701 MOSFET N-Channel 2SK702 MOSFET N-Channel 2SK703 MOSFET N-Channel 2SK704 MOSFET N-Channel 2SK705 MOSFET N-Channel 2SK709 MOSFET N-Channel 2SK711 MOSFET N-Channel FCD380N60E MOSFET N-Channel FCD600N60Z MOSFET N-Channel FCD900N60Z MOSFET N-Channel FCH072N60F MOSFET N-Channel FDB070AN06F085 MOSFET N-Channel FDB38N30U MOSFET N-Channel FDD1600N10ALZ MOSFET N-Channel FDD850N10LD MOSFET N-Channel FDMS3669S MOSFET N-Channel FDMS8320LDC MOSFET N-Channel FDMS86152 MOSFET N-Channel FDN537N MOSFET N-Channel FDPC8012S MOSFET N-Channel FDZ1323NZ MOSFET N-Channel HUF76639SF085 MOSFET N-Channel IRFP260 MOSFET N-Channel

¿Que es el FDD1600N10ALZD?

El FDD1600N10ALZD es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado TO252-5L. Soporta hasta 100V entre drain y source con una corriente maxima de 6.8A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.16 Ohm.

Los MOSFET como el FDD1600N10ALZD se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.

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Preguntas frecuentes sobre el FDD1600N10ALZD

¿Con que transistor puedo reemplazar el FDD1600N10ALZD?

Los reemplazos compatibles para el FDD1600N10ALZD incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, FCD380N60E, FCD600N60Z, FCD900N60Z, y 13 mas. Verifica que los parametros clave (voltaje, corriente, encapsulado) sean compatibles con tu circuito antes de sustituir.

¿Que tipo de transistor es el FDD1600N10ALZD?

El FDD1600N10ALZD es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO252-5L. Sus parametros principales son: Vds=100V, Id=6.8A, RDSon=0.16Ω, 14.9W.

¿Cual es el voltaje maximo del FDD1600N10ALZD?

El FDD1600N10ALZD soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 100V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 20V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.

¿Que encapsulado tiene el FDD1600N10ALZD?

El FDD1600N10ALZD viene en encapsulado TO252-5L. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.

¿Para que sirve el FDD1600N10ALZD?

El FDD1600N10ALZD se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.

¿Es gratis consultar los datos del FDD1600N10ALZD?

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